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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [11]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2008 [2]
2003 [1]
2000 [3]
1999 [2]
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学科主题
半导体化学 [12]
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学科主题:半导体化学
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Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers
会议论文
6th international conference on nanoscience and technology, beijing, peoples r china, jun 04-06, 2007
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
InAs Quantum Dots
Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 844-847
作者:
Zhan F
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浏览/下载:267/108
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提交时间:2010/03/08
Quantum Dots
Desorption
Molecular Beam Epitaxy
Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:211/56
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提交时间:2010/03/08
InAs Quantum Dots
Metamorphic Buffer
Molecular Beam Epitaxy
Epitaxial Semiconductor Quantum Wires
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2008, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 3300-3314
Wu J
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:22/1
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提交时间:2010/03/08
Epitaxy
Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:69/1
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提交时间:2010/03/08
InN
MOCVD
Mobility
In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate
期刊论文
applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
strain
dislocation
interfaces
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
CRITICAL THICKNESS
COMPLIANT SUBSTRATE
RELAXATION
Application of the compatibility relationship(1) in seeking a functional relationship among species' equilibrium quantities in complex systems
期刊论文
journal of physical chemistry b, 2000, 卷号: 104, 期号: 40, 页码: 9500-9504
Ren Y
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL LAYERS
SILICON
GAAS
Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
Zhu QS
;
Matsushima H
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWTH
FACETS
WIRES
MOCVD
Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
INP(001)
INGAAS
The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
Wang YS
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang FF
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
epitaxial growth
RHEED
Raman spectrum
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SILICON
SURFACES
FILMS
LAYER
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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