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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1991     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡 期刊论文 半导体情报, 1991, 期号: 06 陆泳; 陆飞; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 砷化镓  分子束外延  测量  振荡   用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料 期刊论文 半导体情报, 1991, 期号: 06 王建新; 郑燕兰; 邱建毕; 李存才; 陈自姚; 朱福英; 谭文玲; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 分子束外延  三元化合物半导体  砷化镓  异质结双极晶体管   原子层分子束外延技术 期刊论文 微电子学与计算机, 1991, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 47 作者:  宋登元[1] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/12/31 原子层  分子束外延技术   化学束外延（CBE）技术 期刊论文 物理, 1991, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 23 作者:  宋登元[1] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/12/31 化学束外延  CBE  生长动力学  半导体材料  MOCVD  化学气相淀积  外延技术  外延层  分子束外延  金属有机物