GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡

	GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡
	陆泳 ; 陆飞 ; 李爱珍
刊名	半导体情报
	1991
期号	06
关键词	K1 砷化镓分子束外延测量振荡
ISSN号	1671-4776
其他题名	T1 GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡
中文摘要	本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103895]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆泳,陆飞,李爱珍. GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡[J]. 半导体情报,1991(06).
APA	陆泳,陆飞,&李爱珍.(1991).GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡.半导体情报(06).
MLA	陆泳,et al."GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡".半导体情报 .06(1991).