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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：1997     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 埋入SiO↓2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光 期刊论文 科学通报, 1997, 期号: 15, 页码: 1618-1622 作者:  王印月;  杨映虎;  郭永平;  王吉政;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 纳米Si  射频共溅射  Raman散射  室温可见光致发光   Mefluidide促进玉米根延伸生长机理的初步探讨 期刊论文 西北植物学报, 1997, 期号: 2, 页码: 194-199 作者:  甘敏;  陈国仓;  张承烈 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/08/18 玉米  根延伸生长  Mefluidide  乙烯   肾上腺髓质增生二例报告 期刊论文 中华泌尿外科杂志, 1997, 期号: 3, 页码: 1-1 作者:  钟甘平;  秦大山;  陈一戎;  段国兰;  史庭凯 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/09/13 肾上腺髓质  阵发性高血压  左肾上腺  体格检查  刘国栋  尿儿茶酚胺  嗜铬细胞瘤  一戎  平秦  左侧肾上腺   埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光 期刊论文 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 1997, 卷号: 46, 期号: 1, 页码: 203-208 作者:  王印月;  杨映虎;  郭永平;  甘润今;  何源 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 退火温度:6215  复合膜:4540  SiO_2薄膜:3938  电学性质:3461  纳米Ge:2118  光学带隙:1542  室温可见光致发光:1402  晶粒尺寸增大:1376  室温光致发光:1352  喇曼散射:835   Transmission electron microscopy study of the microstructure of a GaN film grown on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy 期刊论文 DEFECT AND DIFFUSION FORUM, 1997, 卷号: 148, 页码: 122 Yu, DP; Chen, LS; Zhang, GY; Tong, YZ; Yang, ZJ; Jin, SX; You, LP; Liu, ZQ; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/23 AIN BUFFER LAYER  DIODES  MOVPE   Cyclotron resonance and quantum Hall effect studies of the two-dimensional electron gas confined at the GaN/AlGaN interface 期刊论文 applied physics letters, 1997, 卷号: 70, 期号: 16, 页码: 2123-2125 Knap W; Contreras S; Alause H; Skierbiszewski C; Camassel J; Dyakonov M; Robert JL; Yang J; Chen Q; Khan MA; Sadowski ML; Huant S; Yang FH; Goiran M; Leotin J; Shur MS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 Time-resolved photoluminescence spectroscopy of GaN excitonic transitions 期刊论文 Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 1997, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 723-726 作者:  Chen, Guangde;  Smith, M.;  Lin, Jingyu;  Jiang, Hongxing;  Khan, M. Asif 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/07