埋入SiO↓2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光

	埋入SiO↓2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光
	王印月; 杨映虎; 郭永平; 王吉政; 陈光华; 甘润今
刊名	科学通报
	1997-08-08
期号	15 页码:1618-1622
关键词	纳米Si 射频共溅射 Raman散射室温可见光致发光
其他题名	埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光
中文摘要	1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2～5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/100946]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,杨映虎,郭永平,等. 埋入SiO↓2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光[J]. 科学通报,1997(15):1618-1622.
APA	王印月,杨映虎,郭永平,王吉政,陈光华,&甘润今.(1997).埋入SiO↓2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光.科学通报(15),1618-1622.
MLA	王印月,et al."埋入SiO↓2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光".科学通报 .15(1997):1618-1622.