埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光

	埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光
	王印月; 杨映虎; 郭永平; 甘润今; 何源; 薛华; 陈光华
刊名	物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica
	1997-01-30
卷号	46 期号:1 页码:203-208
关键词	退火温度:6215 复合膜:4540 SiO_2薄膜:3938 电学性质:3461 纳米Ge:2118 光学带隙:1542 室温可见光致发光:1402 晶粒尺寸增大:1376 室温光致发光:1352 喇曼散射:835
ISSN号	10003290
其他题名	Optical electrical properties and room-temperature visible photoluminescence from Ge nanocrystals embedded in SiO2 thin films
中文摘要	用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101183]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,杨映虎,郭永平,等. 埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光[J]. 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,1997,46(1):203-208.
APA	王印月.,杨映虎.,郭永平.,甘润今.,何源.,...&陈光华.(1997).埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光.物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,46(1),203-208.
MLA	王印月,et al."埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光".物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 46.1(1997):203-208.