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光集積回路の製造方法 专利
专利号: JP3263949B2, 申请日期: 2001-12-28, 公开日期: 2002-03-11
作者:  小松 啓郎;  佐々木 達也;  加藤 友章;  水戸 郁夫
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Isothermal and nonisothermal crystallization of poly(aryl ether ketone ketone) with all-para phenylene linkage 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED POLYMER SCIENCE, 2001, 卷号: 82, 期号: 14, 页码: 3431-3438
作者:  Wang, JK;  Yang, XN;  Li, G;  Zhou, EL
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Observation of three-dimensional domain configurations in 0.92Pb(Zn1/3Nb2/3)O-3-0.08PbTiO(3) crystal by environmental scanning electron microscopy 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2001, 卷号: 13, 期号: 50, 页码: 11567-11572
作者:  Xiao, JZ;  Shao, MJ;  Hang, Y;  Yin, ST
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On the formation of vertically oriented MCM-22 zeolite crystal films 期刊论文
microporous and mesoporous materials, 2001, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 69-76
作者:  Cheng, M;  Hu, G;  Tan, D;  Bao, X
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Carbonization process of si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
作者:  Liao, MY;  Chai, CL;  Yao, ZY;  Yang, SY;  Liu, ZK
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The pl "violet shift" of cerium dioxide on silicon 期刊论文
Chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 24, 页码: 2046-2048
作者:  Chai, CL;  Yang, SY;  Liu, ZK;  Liao, MY;  Chen, NF
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Observation of twisting growth of branched polyethylene single crystals formed from the melt 期刊论文
MACROMOLECULAR RAPID COMMUNICATIONS, 2001, 卷号: 22, 期号: 16, 页码: 1340-1343
作者:  Liu, JP;  Zhang, FJ;  He, TB
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Investigation of {111}a and {111} planes of c-gan epilayers grown on gaas(001) by mocvd 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56
作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY
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Photoluminescence of algaas/ingaas/gaas pseudomorphic hemts with different thickness of spacer layer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524
作者:  Cao, X;  Zeng, YP;  Kong, MY;  Pan, LA;  Wang, BQ
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Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Han, JY
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