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電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者:  幡 俊雄;  菅原 聰;  花岡 大介
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半導体発光素子 专利
专利号: JP1998326940A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  高橋 孝志
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半導体装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998321956A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
作者:  川津 善平;  中山 毅
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半導体発光素子 专利
专利号: JP1998321942A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
作者:  上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲
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Method for etching iii-v semiconductor material 专利
专利号: WO1998054757A1, 申请日期: 1998-12-03, 公开日期: 1998-12-03
作者:  FRANZ, GERHARD
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A new isotope of hafnium: Hf-186 期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 1998, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1057-1060
作者:  He, JJ;  Yuan, SG;  Yang, WF;  Li, ZW;  Ma, TT
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Growth and characterization of gan on ligao2 期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 195, 期号: 1-4, 页码: 304-308
作者:  Duan, SK;  Teng, XG;  Han, PD;  Lu, DC
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12
Movpe  Gan  Substrate  
Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by mbe with an additional incident indium flux 期刊论文
Semiconductor science and technology, 1998, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 1469-1471
作者:  Foxon, CT;  Hooper, SE;  Cheng, TS;  Orton, JW;  Ren, GB
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Redshift of the Ca XIX resonance line in solar flares observed with Yohkoh Bragg crystal spectrometer 期刊论文
ASTROPHYSICAL JOURNAL, 1998, 卷号: 508, 期号: 1, 页码: 418-422
作者:  Gan, WQ
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自学考试教育形式的特点研究(续完) 期刊论文
甘肃广播电视大学学报, 1998, 期号: 4, 页码: 5-12
作者:  甘肃省自考办课题组;  史柳宝;  李志远
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