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	電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
	幡 俊雄; 菅原 聰; 花岡 大介
	1998-12-18
著作权人	SHARP CORP
专利号	JP1998335749A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
英文摘要	【課題】 動作電圧が低く、発振開始電流を低減でき、電気的特性を向上できる電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 AlNバッファ層2をエッチングし、層厚の厚いバッファ層領域2aと層厚の薄いバッファ層領域2bを形成する。続いて、SiドープN型GaN層3、GaN層3’、Al0.1Ga0.9Nクラッド層4、In0.15Ga0.85N活性層5を成長させ、MgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層6を成長させ、続いて、MgドープGaNコンタクト層7を成長させる。層厚の薄いバッファ層2b上の領域に形成されたGaN層3’及びクラッド層4の領域10bのキャリヤ濃度は約5×1017cm‐3とし、層厚の厚いバッファ層2a上の領域に形成されたGaN層3’及びクラッド層4の領域10aのキャリヤ濃度は約2×1016cm‐3とする。
公开日期	1998-12-18
申请日期	1997-06-02
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64388]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	幡 俊雄,菅原 聰,花岡 大介. 電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP1998335749A. 1998-12-18.

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