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Analysis of 1/f Noise for Organic TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter
会议论文
作者:
He, Hongyu
;
Liu, Yuan
;
Wang, Hao
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/05
Analytical Drain Current Model for Amorphous and Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States
会议论文
9th Inthernational Conference on Computer Aided Design for Thin-Film Transistors (CAD-TFT), Shenzhen, PEOPLES R CHINA, NOV 16-18, 2018
作者:
He, Hongyu*
;
Liu, Yuan
;
Yan, Binghui
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/27
Amorphous silicon
polycrystalline silicon
thin-film transistor
trap states
analytical model
Drain Current Model Based on the Meyer-Neldel Rule for Polycrystalline ZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures
会议论文
24th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), Chengdu, PEOPLES R CHINA, JUL 04-07, 2017
作者:
He, Hongyu*
;
Liu, Yuan
;
Yan, Binghui
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/27
Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 3654-3660
作者:
He, Hongyu*
;
Liu, Yuan
;
Yan, Binghui
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/27
Analytical model
drain current
temperature characteristics
thin-film transistor (TFT)
trap states
Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 3654-3660
作者:
He, Hongyu*
;
Liu, Yuan
;
Yan, Binghui
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/27
Analytical model
drain current
temperature characteristics
thin-film transistor (TFT)
trap states
Analysis of 1/f Noise for Polycrystalline Silicon TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter
会议论文
作者:
He, Hongyu
;
Liu, Yuan
;
Wang, Hao
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/05
Analysis of 1/f Noise for Polycrystalline Silicon TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter
期刊论文
7TH IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE (INEC) 2016, 2016, 页码: 1-2
作者:
He, Hongyu*
;
Liu, Yuan
;
Wang, Hao
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/27
Simple leakage Current and 1/f Noise Expressions for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
会议论文
IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), Univ Hong Kong, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, AUG 03-05, 2016
作者:
He, Hongyu*
;
Deng, Wanling
;
Liu, Yuan
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/27
Analytical Drain Current Model for Organic Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 4423-4431
作者:
He, Hongyu*
;
Liu, Yuan
;
Yan, Binghui
;
Lin, Xinnan
;
Zheng, Xueren
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/27
Compact model
temperature characteristics
thin-film transistor (TFT)
trap states
1/f Noise Expressions for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter in Above-Threshold Regime
期刊论文
ieee electron device letters, 2015
He, Hongyu
;
Zheng, Xueren
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Thin-film transistor (TFT)
InGaZnO (IGZO)
low frequency noise
carrier mobility
THIN-FILM TRANSISTORS
LOW-FREQUENCY NOISE
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