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	Simple leakage Current and 1/f Noise Expressions for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
	He, Hongyu*; Deng, Wanling; Liu, Yuan; Lin, Xinnan; Zheng, Xueren; Zhang, Shengdong
	2016
会议名称	IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)
会议日期	AUG 03-05, 2016
会议地点	Univ Hong Kong, Hong Kong, PEOPLES R CHINA
页码	307-309
会议录	2016 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC)
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000391637300076
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5692724
专题	南华大学
作者单位	[He, Hongyu] Univ South China, Sch Elect Engn, Hengyang 421001, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	He, Hongyu*,Deng, Wanling,Liu, Yuan,et al. Simple leakage Current and 1/f Noise Expressions for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors[C]. 见:IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC). Univ Hong Kong, Hong Kong, PEOPLES R CHINA. AUG 03-05, 2016.

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