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| GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16
作者: 郑英奎 ; 赵妙; 欧阳思华; 李艳奎; 刘新宇
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| 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者: 欧阳思华; 赵妙; 刘新宇; 魏珂; 孔欣
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| 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法 专利
专利号: CN201110163890.4, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-12-19
作者: 刘新宇; 郑英奎; 欧阳思华; 李艳奎; 赵妙
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| 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 专利
专利号: CN201110236597.6, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2013-03-06
作者: 欧阳思华; 魏珂; 刘新宇; 郑英奎; 彭铭曾
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| 多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 专利
专利号: CN200910312391.X, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2011-06-29
作者: 刘新宇; 袁婷婷; 蒲颜; 欧阳思华; 王亮
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| 一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法 专利
专利号: CN201010575278.3, 申请日期: 2013-12-25, 公开日期: 2012-07-11
作者: 蒲颜; 陈晓娟; 刘新宇; 李艳奎; 欧阳思华
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| 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 专利
专利号: CN201010233999.6, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01
作者: 欧阳思华; 赵妙; 王鑫华; 刘新宇; 郑英奎
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| 多级MMIC功率放大器测试系统 期刊论文
Applied Mechanics and Materials, 2012
作者: 欧阳思华; 彭铭曾; 武锦
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| 基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统 期刊论文
第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2012
作者: 欧阳思华; 戈勤; 郑英奎
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2013/11/01 |
| 一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法 专利
专利号: CN200910238767.7, 申请日期: 2011-05-25, 公开日期: 2011-05-25
作者: 庞磊; 王亮; 蒲颜; 袁婷婷; 刘新宇
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