确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法

	确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法
	刘新宇; 郑英奎; 欧阳思华; 李艳奎; 赵妙
	2015-06-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110163890.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。
公开日期	2012-12-19
申请日期	2011-06-17
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15491]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,郑英奎,欧阳思华,等. 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法. CN201110163890.4. 2015-06-10.