一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法

	一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法
	欧阳思华; 赵妙; 王鑫华; 刘新宇; 郑英奎; 李艳奎; 魏珂
	2013-08-14
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010233999.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，属于半导体器件技术领域。所述方法：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；利用测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；对低频噪声曲线进行分析，获得表征GaN基HEMT器件的低频噪声特性参数。本发明通过搭建用于GaN基HEMT器件低频噪声测试的测试平台，对器件的低频噪声特性进行相应的测量，结合已有的低频噪声模型，通过一系列的拟和分析，获得器件的低频噪声特征参数，实现对器件可靠性的评价。
公开日期	2012-02-01
申请日期	2010-07-22
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15985]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	欧阳思华,赵妙,王鑫华,等. 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法. CN201010233999.6. 2013-08-14.