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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 专利 专利号: CN206225325U, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2017-06-06 作者:  李国强;  王文樑;  朱运农;  杨为家 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用 专利 专利号: CN106653966A, 申请日期: 2017-05-10, 公开日期: 2017-05-10 作者:  李国强;  朱运农;  李筱婵 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱 专利 专利号: CN206116446U, 申请日期: 2017-04-19, 公开日期: 2017-04-19 作者:  李国强;  朱运农;  李筱婵 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 专利 专利号: CN106158592A, 申请日期: 2016-11-23, 公开日期: 2016-11-23 作者:  李国强;  王文樑;  朱运农;  杨为家 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 气压对PLD法在AlN／Si上外延生长的GaN性能的影响 期刊论文 《材料研究与应用》, 2016, 卷号: 10, 页码: 16-21 作者:  朱运农[1];  王文樑[1];  杨为家[1];  王海燕[1];  李国强[1,2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 气压  脉冲激光沉积  GAN   Epitaxial growth of nonpolar GaN films on r-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录) 期刊论文 Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 卷号: 43, 页码: 82-89 作者:  Yang, Weijia[1];  Wang, Wenliang[1];  Wang, Haiyan[1];  Zhu, Yunnong[1];  Li, Guoqiang[1,2,3] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Crystalline materials  Curve fitting  Deposition  Epitaxial films  Gallium nitride  Growth temperature  Pulsed laser deposition  Pulsed lasers  Sapphire  Surface roughness   A comparative study on the properties of c-plane and a-plane GaN epitaxial films grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录) 期刊论文 Vacuum, 2016, 卷号: 128, 页码: 158-165 作者:  Wang, Wenliang[1,2];  Yang, Weijia[1,2];  Wang, Haiyan[1,2];  Zhu, Yunnong[1,2];  Yang, Meijuan[1,2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Crystalline materials  Deposition  Epitaxial films  Full width at half maximum  Gallium alloys  Gallium nitride  Interfaces (materials)  Optical properties  Pulsed laser deposition  Pulsed lasers  Residual stresses  Sapphire  Surface roughness   Effect of residual stress on the microstructure of GaN epitaxial films grown by pulsed laser deposition (EI收录) 期刊论文 Applied Surface Science, 2016, 卷号: 369, 页码: 414-421 作者:  Wang, Haiyan[1,2];  Wang, Wenliang[1,2];  Yang, Weijia[1,2];  Zhu, Yunnong[1,2];  Lin, Zhiting[1,2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/24 Atomic force microscopy  Crystalline materials  Deposition  Epitaxial films  Gallium nitride  Microstructure  Pulsed laser deposition  Pulsed lasers  Surface roughness   Performance improvement of GaN-based light-emitting diodes grown on Si(111) substrates by controlling the reactor pressure for the GaN nucleation layer growth (EI收录) 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2015, 卷号: 3, 页码: 1484-1490 作者:  Lin, Yunhao[1];  Zhou, Shizhong[1];  Wang, Wenliang[1];  Yang, Weijia[1];  Qian, Huirong[1] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/25 Gallium nitride  Light emitting diodes  Metallorganic chemical vapor deposition  Nucleation  Organic chemicals  Organometallics  Silicon  Substrates  Transmission electron microscopy  X ray diffraction   Effect of Al substrate nitridation on the properties of AlN films grown by pulsed laser deposition and its mechanism (EI收录) 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 644, 页码: 444-449 作者:  Wang, Wenliang[1];  Qian, Huirong[1];  Yang, Weijia[1];  Wang, Haiyan[1];  Zhu, Yunnong[1] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/25 Crystalline materials  Deposition  Full width at half maximum  Interfaces (materials)  Nitridation  Pulsed laser deposition  Pulsed lasers  Substrates  Surface roughness