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会议论文 [1]
发表日期
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2014 [1]
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Exercise for Neuropathic Pain: A Systematic Review and Expert Consensus
期刊论文
FRONTIERS IN MEDICINE, 2021, 卷号: 8, 页码: 16
作者:
Zhang, Yong-Hui
;
Hu, Hao-Yu
;
Xiong, Yuan-Chang
;
Peng, Changgeng
;
Hu, Li
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2022/02/11
exercise
training
neuropathic pain
chronic pain
expert consensus
Whole-genome sequence of a flatfish provides insights into ZW sex chromosome evolution and adaptation to a benthic lifestyle
期刊论文
NATURE GENETICS, 2014, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 253-+
作者:
Chen, Songlin[1]
;
Zhang, Guojie[2]
;
Shao, Changwei[3]
;
Huang, Quanfei[4]
;
Liu, Geng[5]
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/01/02
一种α谱的计算机模拟方法与硼的深度分布研究
期刊论文
核电子学与探测技术, 1994, 期号: 3, 页码: 5
作者:
廖常庚
;
姜辉
;
汪永强
;
杨生胜
;
郑志豪
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2016/07/18
核反应分析
硼的深度
扩硼
掺硼
α谱的模拟
康普顿散射检测管壁厚度和缺陷的研究
期刊论文
同位素, 1993, 期号: 4, 页码: 193-197
作者:
廖常庚
;
袁俊谦
;
胡尚斌
;
姜辉
;
杨生胜
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/07/18
康普顿散射
无损检测
管壁厚度
管壁缺陷
环境中氟污染的核反应分析研究
期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1993, 期号: 3, 页码: 111-115
作者:
廖常庚
;
杨生胜
;
姜辉
;
祁中
;
汪永强
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/07/18
污染物分析
氟19反应
土壤污染
植物污染
核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究
期刊论文
核技术, 1993, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 183-187
作者:
廖常庚
;
杨生胜
;
姜辉
;
汪永强
;
郑志豪
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/07/18
共振核反应分析
反应产额曲线
模拟
硼的深度分布
非晶硅薄膜
Amorphous silicon film
Boron depth
Nuclear resonance reaction analysis
非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究
期刊论文
原子能科学技术, 1992, 期号: 2, 页码: 9-14
作者:
汪永强
;
郑志豪
;
廖常庚
;
姜汴婴
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2016/07/18
共振核反应
非晶硅多层膜
氢深度分布
高斯分辨函数
非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究
期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1991, 期号: 3, 页码: 53-58
作者:
汪永强
;
关志豪
;
廖常庚
;
姜汴婴
;
项金钟
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/07/18
共振核反应
非晶硅多层膜
氢浓度分布
高斯分辨函数
Boron depth profiles in a-Si1-xCx:H(B) films after thermal annealing
会议论文
1991 International Conference on Thin Film Physics and Applications, Shanghai, China, April 15, 1991 - April 17, 1991
作者:
Liao, Changgeng
;
Zheng, Zhihao
;
Wang, Yongqiang
;
Yang, Shengsheng
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/01/20
Semiconducting Silicon
Heat Treatment
Annealing
Semiconducting Films
Photovoltaic Effects
Semiconductor Materials
Doping
Solar Cells
Silicon
Boron Doped Silicon
Hydrogenated Amorphous Silicon
Thermal Annealing
Wind Band Gap Semiconductors
BF_2~+分子离子注入硅中的硼原子深度分布的核反应分析研究
期刊论文
科学通报, 1989, 期号: 10, 页码: 796
作者:
廖常庚
;
郑志豪
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/07/18
深度分布
原子离子
硼原子
半导体材料
杂质原子
非晶层
核反应分析
离子注入硅
有效方法
浅结
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