核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究

	核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究
	廖常庚; 杨生胜; 姜辉; 汪永强; 郑志豪
刊名	核技术
	1993-04-01
卷号	16 期号:3 页码:183-187
关键词	共振核反应分析反应产额曲线模拟硼的深度分布非晶硅薄膜 Amorphous silicon film Boron depth Nuclear resonance reaction analysis
ISSN号	0253-3219
其他题名	Simulation of reaction yield curve and boron depth profiling in amorphous silicon films
通讯作者	Liao, Changgeng
中文摘要	报道了一种模拟共振反应产额曲线的方法。利用~(11)B(p,d)~8Be在E_P= 163keV的共振反应,通过反应产额曲线的模拟研究了不同衬底温度下辉光放电制备的掺硼氢化非晶硅-碳膜中硼的深度分布。给出了不同衬底温度下淀积薄膜中硼深度分布的一些特征。结果表明反应产额曲线的模拟对改善共振反应分析的深度分辨和简化分析方法是有效的,对掺硼非晶硅薄膜中硼的深度分布研究是有益的。
学科主题	.Compound Semiconducting Materials; High Energy Physics
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130650]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	廖常庚,杨生胜,姜辉,等. 核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究[J]. 核技术,1993,16(3):183-187.
APA	廖常庚,杨生胜,姜辉,汪永强,&郑志豪.(1993).核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究.核技术,16(3),183-187.
MLA	廖常庚,et al."核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究".核技术 16.3(1993):183-187.