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半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム 专利
专利号: JP1998027946A, 申请日期: 1998-01-27, 公开日期: 1998-01-27
作者:  右田 雅人;  百瀬 正之;  中塚 慎一
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化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP2643322B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:  右田 雅人;  大家 彰;  椎木 正敏
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半導体レーザ装置及びその作製方法 专利
专利号: JP1995321419A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
作者:  後藤 順;  百瀬 正之;  大家 彰;  中塚 慎一;  右田 雅人
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半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP1995142765A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
作者:  中塚 慎一;  後藤 順;  百瀬 正之;  大家 彰;  右田 雅人
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半導体発光素子 专利
专利号: JP1995094822A, 申请日期: 1995-04-07, 公开日期: 1995-04-07
作者:  百瀬 正之;  大家 彰;  後藤 順;  右田 雅人;  山本 立春
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半導体素子及びその作製方法 专利
专利号: JP1995045911A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14
作者:  中塚 慎一;  右田 雅人;  大家 彰;  後藤 順;  百瀬 正之
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化合物半導体装置の製造方法及びその製造装置 专利
专利号: JP1995045538A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14
作者:  大家 彰;  百瀬 正之;  後藤 順;  右田 雅人;  山本 立春
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半導体レーザ素子及びその作製法 专利
专利号: JP1994232496A, 申请日期: 1994-08-19, 公开日期: 1994-08-19
作者:  中塚 慎一;  右田 雅人;  内田 憲治;  矢野 振一郎
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半導体レーザ 专利
专利号: JP1994204606A, 申请日期: 1994-07-22, 公开日期: 1994-07-22
作者:  後藤 順;  大家 彰;  百瀬 正之;  右田 雅人;  大歳 創
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半導体レーザ 专利
专利号: JP1994085392A, 申请日期: 1994-03-25, 公开日期: 1994-03-25
作者:  中塚 慎一;  右田 雅人;  矢野 振一郎
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