| 半導体発光素子 | |
| 百瀬 正之; 大家 彰; 後藤 順; 右田 雅人; 山本 立春 | |
| 1995-04-07 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1995094822A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】紫外から緑色の波長領域(280nm〜535nm)で発振する2重ヘテロ構造を有する半導体レーザを実現する。 【構成】組成式(1)CdxMgyZn1-x-ySvSewTe1-v-w(0≦x、y、v、w≦1,0≦x+y≦1,0≦v+w≦1)で表せるII-VI族化合物半導体を活性層とし、それより禁制帯幅が大きく屈折率が小さい組成式(2)AlaGabIn1-a-bNcAsdP1-c-d(0≦a、b、c、d≦1,0≦a+b≦1,0≦c+d≦1)で表せるIII-V族化合物半導体をクラッド層として2重へテロ構造を形成する。また、基板とクラッド層間に格子不整が存在する場合は、組成式(2)が連続的に変化するクラッド層とは異なるバッファ層を導入して、各層での結晶欠陥の発生を抑制する。さらには、活性層とクラッド層間に活性層とは異なる組成式(2)の光閉じ込め層を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-04-07 |
| 申请日期 | 1993-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 百瀬 正之,大家 彰,後藤 順,等. 半導体発光素子. JP1995094822A. 1995-04-07. |
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