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| 半導体レーザー 专利
专利号: JP1996213699A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
作者: 辻村 歩; 大川 和宏; 上山 智; 三露 常男
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| 多層積層構造材料及び発光素子 专利
专利号: JP1996097511A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
作者: 柄沢 武; 大川 和宏; 三露 常男
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| 半導体レーザ素子とその製造方法及びその製造装置 专利
专利号: JP1996088442A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02
作者: 林 茂生; 大川 和宏; 三露 常男
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| 半導体レーザー素子 专利
专利号: JP1995321409A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
作者: 辻村 歩; 大川 和宏; 三露 常男
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| 半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子 专利
专利号: JP1995193278A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28
作者: 柄沢 武; 大川 和宏; 三露 常男
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1995193328A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28
作者: 吉井 重雄; 林 茂生; 大川 和宏; 三露 常男
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| 半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子 专利
专利号: JP1995111359A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者: 柄沢 武; 大川 和宏; 三露 常男
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| 半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995028097B2, 申请日期: 1995-03-29, 公开日期: 1995-03-29
作者: 大川 和宏; 三露 常男; 山崎 攻
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| 結晶成長方法 专利
专利号: JP1995019783B2, 申请日期: 1995-03-06, 公开日期: 1995-03-06
作者: 大川 和宏; 三露 常男; 山崎 攻
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1994314856A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者: 大川 和宏; 三露 常男
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