| 半導体レーザ | |
| 吉井 重雄; 林 茂生; 大川 和宏; 三露 常男 | |
| 1995-07-28 | |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 专利号 | JP1995193328A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】クラッド層または導波路層の活性領域に接している部分の少なくとも片側に、n型不純物またはp型不純物が0〜1016·cm-3の範囲存在する領域を設けたことにより、半導体レーザ素子の発振しきい値電流を減少させ、素子の効率を向上し、発熱量を減少させ、寿命を改善する。 【構成】ZnS0.07Se0.93クラッド層(2および4)の、Zn0.8 Cd0.2Se活性領域4と接する部分にn型不純物またはp型不純物が無添加の領域(2-2および4-1)を設けた構造を持つII-VI族化合物半導体レーザとする。これにより出力1mWのときの素子効率が6倍に向上し、発熱量は約60%に減少し、さらに素子の寿命が8倍から3倍に増加する。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88189]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉井 重雄,林 茂生,大川 和宏,等. 半導体レーザ. JP1995193328A. 1995-07-28. |
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