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Four distinct resistive states in van der Waals full magnetic 1T-VSe2/CrI3/1T-VSe2 tunnel junction
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 505
作者:
Li, Fangfang
;
Yang, Baishun
;
Zhu, Yu
;
Han, Xiufeng
;
Yan, Yu
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/12/16
FERROMAGNETISM
Novel Cascadable Magnetic Majority Gates for Implementing Comprehensive Logic Functions
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 4687-4693
作者:
Li, Xin
;
Song, Min
;
Xu, Nuo
;
Luo, Shijiang
;
Zou, Qiming
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/26
micromagnetic simulations
magnetic tunneling junction (MTJ)
Beyond CMOS logic devices
magnetic majority gates (MMGs)
cascading
Self-Adaptive Write Circuit for Magnetic Tunneling Junction Memory With Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 17, 页码: 492-499
作者:
Long, Mingzhi
;
Zeng, Lang
;
Gao, Tianqi
;
Zhang, Deming
;
Qin, Xiaowan
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/30
Magnetoelectric random access memory (MeRAM)
voltage controlled magnetic anisotropy (VCMA)
magnetic tunneling junction (MTJ)
write circuit
self-adaptive
Novel Magnetic Tunneling Junction Memory Cell With Negative Capacitance-Amplified Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 4919-4927
作者:
Zeng, Lang
;
Gao, Tianqi
;
Zhang, Deming
;
Peng, Shouzhong
;
Wang, Lezhi
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/30
High speed
low power
magnetic tunneling junction (MTJ)
negative capacitance
voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA)
Tunneling magnetoresistance in Fe3Si/MgO/Fe3Si(001) magnetic tunnel junctions
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 17
Tao, LL
;
Liang, SH
;
Liu, DP
;
Wei, HX
;
Wang, J
;
Han, XF
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/04/14
Tunneling magnetoresistance induced by controllable formation of Co filaments in resistive switching Co/ZnO/Fe structures
期刊论文
EPL, 2014, 卷号: 108, 期号: 5
Yang, Zhihuan
;
Zhan, Qingfeng
;
Zhu, Xiaojian
;
Liu, Yiwei
;
Yang, Huali
;
Hu, Benlin
;
Shang, Jie
;
Pan, Liang
;
Chen, Bin
;
Li, Run-Wei
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2015/09/20
MgO(001) barrier based magnetic tunnel junctions and their device applications
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 29
Han, XF
;
Ali, SS
;
Liang, SH
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/01/16
magnetic tunnel junction (MTJ)
tunneling magnetoresistance (TMR)
MgO
spin transfer torque (STT)
Coulomb blockade magnetoresistance (CBMR)
Magnetic Properties and Magnetic Domain Structures Evolution Modulated by CoFeB Layer in [Pd/Co]/CoFeB/MgO/CoFeB/[Co/Pd] Perpendicular MTJ Films
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2812
Yu, T
;
Naganuma, H
;
Shi, DW
;
Ando, Y
;
Han, XF
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/18
Multi-level cell STT-RAM: Is it realistic or just a dream?
其他
2012-01-01
Zhang, Yaojun
;
Zhang, Lu
;
Wen, Wujie
;
Sun, Guangyu
;
Chen, Yiran
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/17
Changes in the layer roughness and crystallography during the annealing of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 6
Anderson, GIR
;
Wei, HX
;
Porter, NA
;
Harnchana, V
;
Brown, AP
;
Brydson, RMD
;
Arena, DA
;
Dvorak, J
;
Han, XF
;
Marrows, CH
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/09/17
ROOM-TEMPERATURE
MAGNETORESISTANCE
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