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Simulation study on single-event burnout in field-plated Ga2O3 MOSFETs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 卷号: 149
作者:
Yu, Cheng-hao
;
Guo, Hao-min
;
Liu, Yan
;
Wu, Xiao-dong
;
Zhang, Li-long
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2023/11/10
Depletion-mode
Single-event burnout (SEB)
Single-event gate rupture
DNA intercalation makes possible superior-gain organic photoelectrochemical transistor detection
期刊论文
BIOSENSORS & BIOELECTRONICS, 2023, 卷号: 237, 页码: 6
作者:
Zhu, Yu-Yue
;
Jiang, Tian-Tong
;
Gao, Ge
;
Wang, Shi-Liang
;
Jiang, Xing-Wu
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2023/12/13
Organic photoelectrochemical electronics
Bioanalysis
DNA intercalation
Superior gain
A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Jiang, Kaizhe
;
Zhang, Xiaodong
;
Tian, Chuan
;
Zhang, Shengrong
;
Zheng, Liqiang
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2023/10/07
split gate (SG)
heterojunction freewheeling diode (HJD)
SiC asymmetric cell trench MOSFET
turn-on loss
turn-off loss
Optogenetically engineered cell-based graphene transistor for pharmacodynamic evaluation of anticancer drugs
期刊论文
Sensors and Actuators B: Chemical, 2022, 卷号: 358, 页码: 1-11
作者:
Yang J(杨佳)
;
Li GX(李恭新)
;
Zu LP(祖立鹏)
;
Wang WX(王文学)
;
Ge ZX(葛治星)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2022/03/07
Cell-based biosensor
Optogenetics
Photosensitive proteins
Cancer cells
Graphene transistor
Pharmacodynamic evaluation
Electrical and Optoelectrical Dual-Modulation in Perovskite-Based Vertical Field-Effect Transistors
期刊论文
Acs Photonics, 2022, 页码: 10
作者:
Y. T. Zou
;
Y. R. Shi
;
B. Wang
;
M. X. Liu
;
J. R. An
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2023/06/14
A Pharmacodynamic Evaluation Method Based on Optogenetics and Graphene FETs
会议论文
Jiaxing, China, July 27-31, 2021
作者:
Yang J(杨佳)
;
Zu LP(祖立鹏)
;
Dang D(党丹)
;
Li MY(李梦月)
;
Wang WX(王文学)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/11/27
GaNFET as energy store for fast laser pulser
专利
专利号: US10256605, 申请日期: 2019-04-09, 公开日期: 2019-04-09
作者:
GASSEND, BLAISE
;
DROZ, PIERRE-YVES
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/12/23
The Performance Investigation of Junctionless Transistor by Considering Different Recessed Gates
会议论文
Shenzhen, China, June 6, 2018 - June 8, 2018
作者:
Lou, Haijun
;
Li, Wentao
;
Yang, Yumei
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/11/15
Drain current
Threshold voltage
junctionless
Junctionless transistors
Recessed gate
sidewall
Sidewall angles
Subthreshold
Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63
作者:
Hu, P. P.
;
Liu, J.
;
Zhang, S. X.
;
Maaz, K.
;
Zeng, J.
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/10/08
GaN
HEMT
Swift heavy ion
Latent track
Electrical characteristics
Significant Enhancement of Single-Walled Carbon Nanotube Based Infrared Photodetector Using PbS Quantum Dots
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2018, 卷号: 24, 期号: 4
作者:
Tang, Yicheng
;
Fang, Hehai
;
Long, Mingsheng
;
Chen, Gang
;
Zheng, Zhe
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/04/09
Carbon Nanotubes
Infrared Photodetector
Photogating Effect
Quantum Dots
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