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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8 作者:  Jiang, Kaizhe;  Zhang, Xiaodong;  Tian, Chuan;  Zhang, Shengrong;  Zheng, Liqiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/10/07 split gate (SG)  heterojunction freewheeling diode (HJD)  SiC asymmetric cell trench MOSFET  turn-on loss  turn-off loss