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Solution-Processed Inorganic Sb2S3 Nanorods Semiconductor Heterojunction by Low Toxic and Environmentally Friendly Solvent for Efficient Solar Cells
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 卷号: 43
作者:
Chen, Junwei
;
Zhu, Liangxin
;
Liu, Rong
;
Xu, Chenchen
;
Mao, Zilin
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/12/23
Antimony trisulfide
thin films
photovoltaic cells
inorganic semiconductor heterojunction
A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
期刊论文
Vacuum, 2022, 卷号: 201
作者:
Wang, Xiaoye
;
Bai, Xue
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Yang, Tao
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/06/20
Crystal defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Indium alloys
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Nanowires
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor alloys
Silicon
Substrates
Growth morphology
High-temperature annealing
Inas nanowire
Metal-organic chemical vapour depositions
Optimisations
Parasitic island
Parasitics
Si substrates
Substrate surface
Treatment methods
Progress in Research on VOC Molecule Recognition by Semiconductor Sensors
期刊论文
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2022, 卷号: 38
作者:
Liu, Hongyu
;
Meng, Gang
;
Deng, Zanhong
;
Li, Meng
;
Chang, Junqing
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2022/01/10
Metal oxide semiconductor
Gas sensor
E-nose
Thermal modulation
Pattern recognition
Machine learning
Convolutional neural network
Controllable Synthesis and Gas Sensing Properties of Bridged Tungsten Oxide Nanowires
期刊论文
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2021, 卷号: 37
作者:
Dai, Tiantian
;
Deng, Zanhong
;
Meng, Gang
;
Tong, Bin
;
Liu, Hongyu
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2021/08/30
Bridged tungsten oxide nanowires
Thermal oxidation
Low power consumption
High sensitivity
In situ integration
Gas sensing
< 110 >-growth orientation dependence of Ga2O3 nanowires on Cu3As seeds via vapor-solid-solid mechanism
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 864, 页码: 7
作者:
Wang, Hang
;
Wang, Anqi
;
Wang, Ying
;
Yang, Zaixing
;
Yang, Jun
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/08/31
Ga2o3 Nanowire
Cu3as
Vss
< 110 > Orientation
Highly Textured Assembly of Engineered Si Nanowires for Artificial Synapses Model
期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 1375-1383
作者:
Duan, Chunyang
;
Zhao, Dong
;
Wang, Xiang
;
Ren, Bei
;
Li, Mengqi
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/08/31
Si nanowires
HiGee technology
assembly
graphene quantum dots
artificial synapses
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
MXene-Enhanced Deep Ultraviolet Photovoltaic Performances of Crossed Zn2GeO4 Nanowires
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 124, 期号: 8, 页码: 4764-4771
作者:
Guo, Silin
;
Kang, Shuai
;
Feng, Shuanglong
;
Lu, Wenqiang
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/08/24
In-situ stabilizing surface oxygen vacancies of TiO2 nanowire array photoelectrode by N-doped carbon dots for enhanced photoelectrocatalytic activities under visible light
期刊论文
JOURNAL OF CATALYSIS, 2020, 卷号: 382, 页码: 212-227
作者:
Li, Shanpeng
;
Liu, Chunlei
;
Chen, Ping
;
Lv, Wenying
;
Liu, Guoguang
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/09/15
TiO2 nanowire array
Oxygen vacancies
N-doped carbon dots
Visible light
Photoelectrocatalysis
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
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