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Dynamic carrier transport modulation for constructing advanced devices with improved performance by piezotronic and piezo-phototronic effects: a brief review
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: 32, 期号: 8
作者:
Guo, Z.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2018/06/13
Dynamic carrier transport modulation for constructing advanced devices with improved performance by piezotronic and piezo-phototronic effects: a brief review
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: -
作者:
Guo, Z
;
Pan, HX
;
Li, CY
;
Zhang, LL
;
Yan, S
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/08/30
P-n-junction
Sensitized Solar-cells
Nanowire Arrays
Zno Nanowire
Piezoelectric Nanogenerators
Layer Mos2
Band-gap
2-dimensional Materials
Temperature-dependence
Molybdenum-disulfide
Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 480, 页码: 115-118
作者:
Zhao, Xuyi[1]
;
Wang, Peng[2]
;
Cao, Chunfang[3]
;
Yan, Jinyi[4]
;
Zha, Fangxing[5]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/24
Photoluminescence
Quantum dots
Molecular beam epitaxy
Semiconducting III-V materials
Heterojunction semiconductor devices
Band alignment of two-dimensional semiconductors for designing heterostructures with momentum space matching
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2016
Ozcelik, V. Ongun
;
Azadani, Javad G.
;
Yang, Ce
;
Koester, Steven J.
;
Low, Tony
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/04
SINGLE-LAYER MOS2
TRANSITION-METAL TRICHALCOGENIDES
DER-WAALS HETEROSTRUCTURES
TITANIUM TRISULFIDE TIS3
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
LIGHT-EMITTING-DIODES
QUANTUM-WELL LASERS
ELECTRONIC-PROPERTIES
MOLYBDENUM-DISULFIDE
BLACK PHOSPHORUS
Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Ikeda, M
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, ZC(李增成)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/02/03
Growth models
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Ikeda, M
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/31
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
The growth of Sea-urchin-like AlN nanostructures by modified CVD and their Field Emission properties
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 426, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 49-53
作者:
Guo, Lu'an
;
Chen, Guangde
;
Zhu, Youzhang
;
Duan, Xiangyang
;
Ye, Honggang
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/02
Crystal morphology
Chemical vapor deposition processes
Characterization
Nanostructures
Nanomaterials
Semiconducting III-V materials
The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 378, 期号: 0, 页码: 604-606
作者:
Lu, SL(陆书龙)
;
Ji, L
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2014/01/15
Molecular beam epitaxy
Semiconducting III-V materials
Solar cells
Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10
作者:
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, LQ(张立群)
;
Yang, H(杨辉)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2014/01/13
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Theoretical analysis of the inter-diffusion coefficients in the AlGaInP material quantum well intermixing
期刊论文
2013, 卷号: 16, 页码: 738-741
作者:
Lin, T.
;
Chen, R.G.
;
Zhang, H.Q.
;
Li, C.
;
Ma, X.J.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/20
Laser diode
Quantum well intermixing
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting III-V materials
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