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Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga
2
O
3
power diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123
作者:
Liu, Jinyang
;
Han, Zhao
;
Ren, Lei
;
Yang, Xiao
;
Xu, Guangwei
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2023/11/10
A photon-controlled diode with a new signal-processing behavior
期刊论文
NATIONAL SCIENCE REVIEW, 2022, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 8
作者:
Feng, Shun
;
Han, Ruyue
;
Zhang, Lili
;
Liu, Chi
;
Li, Bo
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2022/09/16
photon-controlled diode
fully-off
rectifying
photomemory array
Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer
期刊论文
SMALL, 2022, 页码: 7
作者:
Wei, Yu-Ning
;
Hu, Xian-Gang
;
Zhang, Jian-Wei
;
Tong, Bo
;
Du, Jin-Hong
收藏
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2022/07/14
carbon nanotube films
Fermi-level pinning
germanium
metal-induced gap states
ohmic contacts
Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer
期刊论文
Small, 2022, 卷号: 18, 期号: 24, 页码: 7
作者:
Y. N. Wei
;
X. G. Hu
;
J. W. Zhang
;
B. Tong
;
J. H. Du
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Single-Dislocation Schottky Diodes
期刊论文
NANO LETTERS, 2021, 卷号: 21, 期号: 13, 页码: 5586-5592
作者:
Tao, Ang
;
Yao, Tingting
;
Jiang, Yixiao
;
Yang, Lixin
;
Yan, Xuexi
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2021/10/15
dislocation
Schottky diode
conductive atomic force microscopy
transmission electron microscopy
first-principles calculations
Single-Dislocation Schottky Diodes
期刊论文
NANO LETTERS, 2021, 卷号: 21, 期号: 13, 页码: 5586-5592
作者:
Tao, Ang
;
Yao, Tingting
;
Jiang, Yixiao
;
Yang, Lixin
;
Yan, Xuexi
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2021/10/14
dislocation
Schottky diode
conductive atomic force microscopy
transmission electron microscopy
first-principles calculations
Broadband Characterization of a Compact Zero-Bias Schottky Diode Detector with a Continuous Wave THz System
会议论文
Korea, 2021
作者:
R. Yadav
;
S. Preu
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/02/08
Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2020, 卷号: 478, 页码: 5-10
作者:
Huang, Mingmin
;
Yang, Zhimei
;
Wang, Shaomin
;
Liu, Jiyuan
;
Gong, Min
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/12/15
Schottky barrier diodes
Raman spectroscopy
Recrystallization effect
Swift heavy ion
SiC
High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:
Liu, Zirui
;
Wang, Jianfeng
;
Gu, Hong
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Weifan
收藏
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2019/12/26
Resistive switching device based on high-mobility graphene and its switching mechanism
期刊论文
Journal of Physics: Conference Series, 2019, 卷号: 1168, 期号: 2
作者:
Zhang,Enliang
;
Zhou,Quan
;
Shen,Jun
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/04/18
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