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Type-I PtS2/MoS2 van der Waals heterojunctions with tunable photovoltaic effects and high photosensitivity
期刊论文
NANOSCALE, 2022
作者:
Zhang, Hui
;
Wang, Zihan
;
Chen, Jiawang
;
Tan, Chaoyang
;
Yin, Shiqi
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/12/22
Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors
期刊论文
ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 7340-7347
作者:
Zou, Jingyun
;
Cai, Zhengyang
;
Lai, Yongjue
;
Tan, Junyang
;
Zhang, Rongjie
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/10/15
2D materials
molybdenum disulfide
MoS2
vanadium
substitutional doping
synaptic transistor
Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Design, Fabrication and Characterization of Molybdenum Field Emitter Arrays (Mo-FEAs)
期刊论文
MICROMACHINES, 2017
Zhu, Ningli
;
Chen, Jing
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
self-aligned-gate
bulk molybdenum
field emitter array
EMISSION PROPERTIES
CATHODE
低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs(英文)
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 975-978
作者:
刘英坤
;
梁春广
;
邓建国
;
张颖秋
;
郎秀兰
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
低压
梯形栅结构
钼栅工艺
甚高频功率VDMOSFET
Molybdenum gate technology
Terraced gate structure
Molybdenum film technology for power metal oxide semiconductor field effect transistor gate electrode applications
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2000, 卷号: 39, 期号: 7A, 页码: 3915-3918
-
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
Mo film
MOS gate
power VDMOSFET
stability
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