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Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文
作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/09/17
绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 期刊论文
电力电子技术, 2017
作者:  黄森;  康玄武;  王鑫华;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/15
新型凹栅增强型AlGaNGaN MIS-HEMT器件研究 学位论文
合肥: 中国科学技术大学, 2017
作者:  李维毅
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/27
增强型 AlGaN/GaN AlGaN/GaN MIS -HEMT HEMT 功率开关器件特性的研究 学位论文
合肥: 中国科学技术大学, 2017
作者:  张志利
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/27
High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics 期刊论文
2017
作者:  Li, Shu-Ping;  Zhang, Zhi-Li(张志利）;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/05
Design of power integrated circuits in full AlGaN/GaN MIS-HEMT configuration for power conversion 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2017, 卷号: 214
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Wang, Yun-Hsiang;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 3515-3518
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2017/03/11

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