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Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:  Y. Chen;  H. Zang;  S. L. Zhang;  Z. M. Shi;  J. W. Ben
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TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/09/22
A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs 期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5
作者:  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ];  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/03/20
The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection 期刊论文
2018
作者:  Shen, Jingyu;  Tan, Can;  Jiang, Rui;  Li, Wei;  Fan, Xue
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/09
Abnormal Recovery Phenomenon Induced by Hole Injection During Hot Carrier Degradation in SOI n-MOSFETs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Lu, Ying-Hsin; Chang, Ting-Chang; Chen, Li-Hui; Lin, Yu-Shan; Liu, Xi-Wen; Liao, Jih-Chien; Lin, Chien-Yu; Lien, Chen-Hsin; Chang, Kuan-Chang; Zhang, Sheng-Dong
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
The Impact of Self-Heating on HCI Reliability in High-Performance Digital Circuits 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Jiang, Hai; Shin, SangHoon; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing; Alam, Muhammad Ashraful
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
生物质多孔颗粒特性及其高固酶解发酵过程的研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  张玉针
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/03/29
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  余德昭
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/09/27
Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer 期刊论文
Microelectronics Reliability, 2016
作者:  Luo WC(罗维春);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/05/09
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi)
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