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A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
期刊论文
Vacuum, 2022, 卷号: 201
作者:
Wang, Xiaoye
;
Bai, Xue
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Yang, Tao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/06/20
Crystal defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Indium alloys
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Nanowires
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor alloys
Silicon
Substrates
Growth morphology
High-temperature annealing
Inas nanowire
Metal-organic chemical vapour depositions
Optimisations
Parasitic island
Parasitics
Si substrates
Substrate surface
Treatment methods
Interface engineering enhanced near-infrared electroluminescence in an n-ZnO microwire/p-GaAs heterojunction
期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 14, 页码: 24773-24787
作者:
J. T. Li
;
B. H. Li
;
M. Meng
;
L. L. Sun and M. M. Jiang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2023/06/14
Ultra long lifetime gallium arsenide
专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者:
SCHUNEMANN, PETER G.
;
ZAWILSKI, KEVIN T.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/24
Vertical-cavity surface-emitting laser
专利
专利号: WO2016139473A1, 申请日期: 2016-09-09, 公开日期: 2016-09-09
作者:
HAYNE, MANUS
;
HODGSON, PETER DAVID
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提交时间:2020/01/18
AlGaInP-based semiconductor laser
专利
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:
HAGIMOTO, MASATO
;
FUKAI, HARUKI
;
KIYOSUMI, TSUTOMU
;
SASAKI, SHINJI
;
KAWANAKA, SATOSHI
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor device and fabrication method
专利
专利号: US9401404, 申请日期: 2016-07-26, 公开日期: 2016-07-26
作者:
LIU, HUIYUN
;
SEEDS, ALWYN JOHN
;
POZZI, FRANCESCA
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提交时间:2020/01/18
GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs /Ge substrate
会议论文
2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014, Guilin, China, October 28, 2014 - October 31, 2014
作者:
Chang, Yongwei
;
Chen, Da
;
Di, Zengfeng
;
Zhang, Miao
;
Yu, Wenjie
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2017/01/20
Semiconducting gallium
Bonding
Chemical bonds
Etching
Gallium arsenide
Germanium
Molecular beam epitaxy
Silicon oxides
Silicon wafers
Wafer bonding
Annealing temperatures
Bulk substrates
Chemical etching
Dose implantation
Epitaxial GaAs
High-crystalline quality
Room temperature bonding
Sacrificial layer
Mechanics design for stretchable, high areal coverage gaas solar module on an ultrathin substrate
期刊论文
Journal of Applied Mechanics, Transactions ASME, 2014, 卷号: 81, 期号: 12, 页码: 124502
作者:
Shi, Xiaoting
;
Xu, Renxiao
;
Li, Yuhang
;
Zhang, Yihui
;
Ren, Zhigang
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提交时间:2019/12/04
Delamination
Design
Finite element analysis
Fracture (Materials)
Fracture (Process)
Gallium arsenide
Photovoltaics
Solar energy
Kinetic investigation on the confined etching system of n-type gallium arsenide by scanning electrochemical microscopy
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp5056446, 2014
Zhang, Jie
;
Jia, Jingchun
;
Han, Lianhuan
;
Yuan, Ye
;
Tian, Zhong-Qun
;
Tian, Zhao-Wu
;
Zhan, Dongping
;
张洁
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田中群
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田昭武
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詹东平
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提交时间:2015/07/22
Cystines
Gallium arsenide
Physical chemistry
Reaction rates
Scanning electron microscopy
Scanning probe microscopy
Semiconducting gallium
Indentation-induced delamination of plasma-enhanced chemical vapor deposition silicon nitride film on gallium arsenide substrate
期刊论文
Journal of Materials Research, 2013, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 1047-1055
作者:
Lu, Mingyuan
;
Xie, Hongtao
;
Huang, Han*
;
Zou, Jin
;
He, Yuehui
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提交时间:2019/12/03
Nanoindentation
delamination
pop-in
pop-out
silicon nitride film
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