CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Modulation of electrical properties and current conduction mechanism of HfAlO/Ge gate stack by ALD-derived Al2O3 passivation layer 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.695, 页码: 1591-1599
作者:  Li,W. D.;  Jin,P.;  Wei,H. H.;  Xiao,X. D.;  Gao,J.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22
Evaluation of stacking faults and associated partial dislocations in AlSb/GaAs (001) interface by aberration-corrected high-resolution transmission electron microscopy 期刊论文
AIP ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 11
Wen, C; Ge, BH; Cui, YX; Li, FH; Zhu, J; Yu, R; Cheng, ZY
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/04/14
Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957
作者:  Dong, JR(董建荣)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/15
Interface-induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells 期刊论文
physical review letters, 2013, 卷号: 111, 期号: 15, 页码: 6402
Dong Zhang, Wenkai Lou, Maosheng Miao, Shou-cheng Zhang, Kai Chang
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/03/26
Role of AlxGa1-xAs buffer layer in heterogeneous integration of GaAs/Ge 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 6
作者:  Dong, JR (董建荣);  Lu, SL (陆书龙)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/08/24
Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6
作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:  Li MF
收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05
Ab initio calculation of Co2MnSi/semiconductor (SC, = GaAs, Ge) heterostructures 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 4400-4408
作者:  Chen, Li-Yong;  Wang, Su-Fang;  Zhang, Yan;  Zhang, Jian-Min;  Xu, Ke-Wei
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/10
Measurement of gan/ge(001) heterojunction valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 4
作者:  Guo Yan;  Liu Xiang-Lin;  Song Hua-Ping;  Yang An-Li;  Zheng Gao-Lin
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Guo Y (Guo Yan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Song HP (Song Hua-Ping); Yang AL (Yang An-Li); Zheng GL (Zheng Gao-Lin); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏  |  浏览/下载：204/46  |  提交时间：2010/07/05
GE  GAAS  GROWTH  

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace