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	Ab initio calculation of Co2MnSi/semiconductor (SC, = GaAs, Ge) heterostructures
	Chen, Li-Yong; Wang, Su-Fang; Zhang, Yan; Zhang, Jian-Min; Xu, Ke-Wei
刊名	THIN SOLID FILMS
	2011
卷号	519期号:[db:dc_citation_issue]页码:4400-4408
关键词	Interface Heterostructure Spin polarization Half-metallic Anti-site defect
ISSN号	0040-6090
DOI	[db:dc_identifier_doi]
URL标识	查看原文
WOS记录号	[DB:DC_IDENTIFIER_WOSID]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4497637
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen, Li-Yong,Wang, Su-Fang,Zhang, Yan,et al. Ab initio calculation of Co2MnSi/semiconductor (SC, = GaAs, Ge) heterostructures[J]. THIN SOLID FILMS,2011,519([db:dc_citation_issue]):4400-4408.
APA	Chen, Li-Yong,Wang, Su-Fang,Zhang, Yan,Zhang, Jian-Min,&Xu, Ke-Wei.(2011).Ab initio calculation of Co2MnSi/semiconductor (SC, = GaAs, Ge) heterostructures.THIN SOLID FILMS,519([db:dc_citation_issue]),4400-4408.
MLA	Chen, Li-Yong,et al."Ab initio calculation of Co2MnSi/semiconductor (SC, = GaAs, Ge) heterostructures".THIN SOLID FILMS 519.[db:dc_citation_issue](2011):4400-4408.

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