×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [3]
计算技术研究所 [3]
上海技术物理研究所 [2]
清华大学 [1]
物理研究所 [1]
湖南大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [8]
其他 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2019 [2]
2017 [2]
2012 [1]
2010 [1]
2009 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The Impact of Ferroelectric FETs on Digital and Analog Circuits and Architectures
期刊论文
IEEE DESIGN & TEST, 2020, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 79-99
作者:
Chen, Xiaoming
;
Sun, Xiaoyu
;
Wang, Panni
;
Datta, Suman
;
Hu, Xiaobo Sharon
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2020/12/10
Iron
Transistors
Computer architecture
Switches
Capacitance
Logic gates
Computational modeling
Ferroelectric Field Effect Transistor
FeFET
Negative Capacitance Field Effect Transistor
NCFET
Preisach model
FPGAs
content addressable memories
CAM
TCAM
compute-in-memory
analog synapse
Power and Area Efficient FPGA Building Blocks Based on Ferroelectric FETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 1780-1793
作者:
Chen, Xiaoming
;
Ni, Kai
;
Niemier, Michael T.
;
Han, Yinhe
;
Datta, Suman
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2019/08/16
Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)
field-programmable gate array (FPGA)
lookup table (LUT)
routing switch
Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
Recent progress on integrating two-dimensional materials with ferroelectrics for memory devices and photodetectors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 3
作者:
Wang JL
;
Hu WD
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2018/11/20
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
THIN-FILM-TRANSISTOR
MOS2
GRAPHENE
HETEROSTRUCTURES
POLYMER
PHOTOTRANSISTORS
OPTOELECTRONICS
ELECTRONICS
MONOLAYER
Effects of grain boundary and grain orientation on electrical behavior of polycrystalline ferroelectric field effect transistor
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2017, 卷号: Vol.214 No.10
作者:
Wang, Fang
;
Li, Bo
;
Xu, Baolei
;
Liu, Longfei
;
Ou, Yun
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/31
ferroelectric field effect transistor (FeFET)
grain boundaries
grain orientation
phase field model
polycrystalline ferroelectric films
Ferroelectric Random Access Memories
期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2012, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 7619-7627
-
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2016/05/16
Ferroelectric
Memory
FeRAM
FeFET
Pb(Zr,Ti)O-3
SrBi2Ta2O9
BiFeO3
Interface studies and electronic properties of silicon based Nd-doped bismuth titanate
会议论文
INTEGRATED FERROELECTRICS, 19th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, Bordeaux, FRANCE, Web of Science
Zang, Yongyuan
;
Xie, Dan
;
Xiao, Yehui
;
Ruan, Yong
;
Ren, Tianling
;
Liu, Litian
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
Two-bit ferroelectric field-effect transistor memories assembled on individual nanotubes
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 47
Fu, WY
;
Xu, Z
;
Liu, L
;
Bai, XD
;
Wang, EG
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/23
CARBON NANOTUBE
ACCESS MEMORY
PERFORMANCE
DIELECTRICS
DEVICES
一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2009
刘福东
;
康晋锋
;
安辉耀
;
刘晓彦
;
韩汝琦
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/11
铁电动态随机存储器
铁电场效应晶体管
宏模型
模拟
HSPICE
FEDRAM
FEFET
macro model
HSPICE
simulation
Characteristics of sub-100nm Ferroelectric Field Effect Transistor with High-k Buffer Layer
其他
2008-01-01
Jin, Rui
;
Song, Yuncheng
;
Ji, Min
;
Xu, Honghua
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
;
Liu, Xiaoyan
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/10
GATE DIELECTRICS
DEVICE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace