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Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:  Wang, Xin;  He, Yun-Long;  He, Qing;  Wang, Chong;  Lei, Wei-Ning
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/17
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness 期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:  Wang, Xin;  He, Yun-Long;  He, Qing;  Wang, Chong;  Lei, Wei-Ning
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20
Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文
作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26
Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7400-7404
作者:  Wei, Lin-Cheng;  Wang, Quan;  Feng, Chun;  Xiao, Hong-Ling;  Jiang, Li-Juan
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017
作者:  Zhou, Yu（周宇）;  Zhong, Yaozong;  Gao, Hongwei（高宏伟）;  Dai, Shujun;  He, Junlei
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/02/05
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346
作者:  Zhou, Yu[1];  Zhong, Yaozong[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5]
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 420, 页码: 817-824
作者:  Zhong, Yaozong[1];  Yu Zhou[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11
Comparative Study of Depletion and Enhancement Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 学位论文
2016
作者:  Makhdoom Shahid Hussain
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明)
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31

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