| 题名 | Comparative Study of Depletion and Enhancement Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors |
| 作者 | Makhdoom Shahid Hussain |
| 答辩日期 | 2016 |
| 导师 | 张安平 |
| 关键词 | AlGaN/GaN HEMT，耗尽型，增强型，栅沟槽，氟等离子处理 |
| 学位名称 | 工学硕士 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2961843 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Makhdoom Shahid Hussain. Comparative Study of Depletion and Enhancement Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors[D]. 2016. |
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