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Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli
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Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.8, 页码: 3139-3144
作者:  Li, Y;  Guo, YX;  Zhang, K;  Zou, XM;  Wang, JL
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6
作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang
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基于EFM的纳米材料电学性质检测方法及实现技术研究 学位论文
博士, 中国科学院沈阳自动化研究所: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2015
作者:  赵增旭
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Large-scale assembly of Cu/CuO nanowires for nano-electronic device fabrication 期刊论文
Science China Technological Sciences, 2014, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 734-737
作者:  Xu K(许可);  Tian XJ(田孝军);  Yu HB(于海波);  Yang Y(杨洋);  Zhou L(周磊)
收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2014/05/14


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