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使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者:  郑政玮;  E·里欧班端;  李宁;  D·K·萨达纳;  徐崑庭
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使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者:  郑政玮;  E·里欧班端;  李宁;  D·K·萨达纳;  徐崑庭
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氮化物基谐振腔发光器件及其制备方法 专利
专利号: CN109449752A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者:  张保平
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一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109149361A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
作者:  蔡玮;  王永进
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三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者:  叶甜春;  霍宗亮
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/03/12
一种硅深孔刻蚀方法 专利
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者:  赵超;  李俊杰;  孟令款;  李春龙;  洪培真
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云南都龙锡锌矿床中白钨矿微量元素及稀土元素地球化学 期刊论文
南京大学学报(自然科学), 2018, 期号: 2, 页码: 245-258
作者:  叶霖;  鲍谈;  刘玉平;  何芳;  王小娟;  张乾;  王大鹏;  蓝江波
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吉尔吉斯 Kyzyltokoy 盆地早第三系地层中海绿石形成的地质 条件及成因研究 学位论文
中国科学院地球化学研究所: 中国科学院大学, 2018
作者:  Tursunai Bektemirova
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掺杂钙钛矿薄膜的气体修复技术及电池器件研究 学位论文
青岛: 中国科学院大学;中科院青岛生物能源与过程研究所, 2017
作者:  常悦
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一种基于碳纳米红外吸收层的微测辐射热计 专利
专利号: 2016207639275, 申请日期: 2017-01-18,
作者:  杨俊;  姬乙雄;  汤林龙;  冯双龙;  周大华
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