| 氮化物基谐振腔发光器件及其制备方法 | |
| 张保平 | |
| 2019-03-08 | |
| 著作权人 | 世坤(厦门)半导体科技有限公司 |
| 专利号 | CN109449752A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物基谐振腔发光器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化物基谐振腔发光器件及其制备方法，该发光器件包括：谐振腔；分别位于谐振腔两侧的上电极和下电极；分别位于谐振腔两侧的上反射镜和下反射镜；上反射镜的底部穿透上电极；下反射镜的顶部穿透下电极；位于上反射镜周围的上电极；位于下反射镜周围的下电极；谐振腔中依次具有位于下电极上的电流限制层、位于电流限制层中的电流扩展层、位于电流限制层和电流扩展层上的氮化物外延层、位于氮化物外延层上的上电极；其中，电流限制层的材料为碳化硅、氧化钾、氧化锌、氧化镁、氮化铝、氮化硼、高阻硅、金刚石、或磷化镓。本发明的发光器件在其垂直方向上基本上不具有热量传导阻碍作用，从而降低了器件的热效应。 |
| 公开日期 | 2019-03-08 |
| 申请日期 | 2018-10-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92345]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 世坤(厦门)半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平. 氮化物基谐振腔发光器件及其制备方法. CN109449752A. 2019-03-08. |
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