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质子诱发的原子核巨偶极共振模式研究及丰质子核~(23)Si的β缓发(双)质子衰变实验研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019
作者:  
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锗/硅雪崩光电探测器的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
武文周
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Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究 学位论文
2016, 2016
赖淑妹
收藏  |  浏览/下载:140/0  |  提交时间:2017/06/20
半导体Ge结技术研究及Ge横向PIN结光电探测器设计 学位论文
2016, 2015
魏江镔
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2017/06/20
一种叠层太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201410145563.X, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-10-14
作者:  刘生忠;  李灿;  王书博;  秦炜;  王辉
收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2015/11/16
GaN衬底激光二极管 专利
专利号: CN103812004A, 申请日期: 2014-05-21, 公开日期: 2014-05-21
作者:  耿振民
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硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2014
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GOI衬底制备和Al/n+-Ge欧姆接触研究 学位论文
2013, 2013
林旺
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金属与n型Ge接触研究及其在Si基Ge光电二极管中应用 学位论文
2012, 2012
吴政
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