| 题名 | 半导体Ge结技术研究及Ge横向PIN结光电探测器设计; Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector |
| 作者 | Wei JB(魏江镔) |
| 答辩日期 | 2016-03-22 ; 2015-05-18 |
| 导师 | 李成 ; 黄巍 |
| 关键词 | 锗 肖特基结 n+p结 Ge光电探测器 Ge Schottky junction n+p junction Ge photodetector |
| 英文摘要 | 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率，在通信波段具有高的吸收系数，以及与主流硅工艺相兼容等优点，成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发，当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展，但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破，除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外，还有以下两个原因：首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻；其次Ge中n型杂质扩散严重，激活浓度低，不利于形成n+p浅结。因此，调制金属/Ge势垒高度，缓解费米能级钉扎效应，减小n型掺杂的扩散深度及提高n型掺杂离子的激活浓度对提高GeMO...; Germanium (Ge) is considered as one of the promising candidates due to its higher carrier mobilities than Si, large optical absorption coefficient at the wavelength for optical communication and the compatibility with current manufacturing facilities for electronic and photonic device applications. Although high performance p-type Ge channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820121152788 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=50734 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134408]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏江镔. 半导体Ge结技术研究及Ge横向PIN结光电探测器设计, Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector[D]. 2016, 2015. |
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