| 题名 | GOI衬底制备和Al/n+-Ge欧姆接触研究; Germanium-on-Insulator Substrates Fabrication and Research on Al/n+-Ge Ohmic Contact |
| 作者 | 林旺 |
| 答辩日期 | 2013 ; 2013 |
| 导师 | 陈松岩 |
| 关键词 | Al/n+-Ge接触 绝缘体上的锗 抛光 Al/n+-Ge contacts germanium-on-insulator (GOI) polishing |
| 英文摘要 | 锗材料具有比硅材料更高的电子和空穴迁移率，在通讯波段中（1.3～1.5μm）具有更高的吸收系数，并且与成熟的硅微电子工艺相兼容等优点，因此硅基锗微电子和光电子器件的研制引起人们广泛的兴趣。然而由于Ge的费米能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷（P）原位掺杂，使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。Ge的本征氧化层质量较差以及GeMOSFETs(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors)的栅漏电流较大，限制了Ge材料在MOS器件中的应用；同时伴随着器件尺寸的不断缩小，不可避免的会引入的一些小尺寸效应，制约了器件的进一步发展。绝缘体上的锗（GOI）...; Germanium has been used as the primary material on the micro- or opto-electronic devices, due to the much higher electron and hole mobility as compared to Si, its favourable absorption coefficient in the near infrared wavelength regime (1.3~1.55μm), as well as its compatibility with Si microelectronic processing. However, the ohmic contact formation on n-type Ge is still a challenge because of sev...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_凝聚态物理; 学号：19820101152825 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=40340 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/79049]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林旺. GOI衬底制备和Al/n+-Ge欧姆接触研究, Germanium-on-Insulator Substrates Fabrication and Research on Al/n+-Ge Ohmic Contact[D]. 2013, 2013. |
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