已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁 收藏  |  浏览/下载:71/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利 专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21 作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利 专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14 作者: 万文坚; 曹俊诚 收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利 专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14 作者: 万文坚; 曹俊诚 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利 专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08 作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半导体微腔激光器的制备方法和半导体 专利 专利号: CN109286131A, 申请日期: 2019-01-29, 公开日期: 2019-01-29 作者: 张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 期刊论文 发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 08, 页码: 956-960 作者: 赵鹏程; 张振中; 姚斌; 李炳辉; 李贤丽 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/08/24
|
| 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文 物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90 作者: 谢修华; 李炳辉; 张振中; 刘雷; 刘可为 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/08/24
|
| 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 专利 专利号: CN108923255A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30 作者: 张保平; 任伯聪; 陈衍晖; 应磊莹; 郑志威 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器 专利 专利号: CN104752952B, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2018-05-08 作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24 |