N掺杂MgZnO薄膜的光电性质

	N掺杂MgZnO薄膜的光电性质
	赵鹏程; 张振中; 姚斌; 李炳辉; 李贤丽
刊名	发光学报
	2019
卷号	40 期号:08 页码:956-960
关键词	分子束外延 MgZnO薄膜光电性质
英文摘要	ZnO是优异的紫外发光和激光材料,氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂,但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性,使氧化锌的载流子迁移率进一步下降。为了研究N的掺入对MgZnO薄膜的影响,利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了N掺杂的ZnO和MgZnO薄膜。实验结果表明,在其他条件完全相同的情况下,当Mg源温度为245℃和255℃时,载流子迁移率会显著提高,这一现象被归结为Mg—N成键抑制了氧位上N—N对的形成,缓解了晶格的扭曲。同时当Mg源温度为275℃时,能够使N掺杂ZnO薄膜中的施主浓度降低一个量级,有利于实现p型掺杂。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63603]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	赵鹏程,张振中,姚斌,等. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质[J]. 发光学报,2019,40(08):956-960.
APA	赵鹏程,张振中,姚斌,李炳辉,&李贤丽.(2019).N掺杂MgZnO薄膜的光电性质.发光学报,40(08),956-960.
MLA	赵鹏程,et al."N掺杂MgZnO薄膜的光电性质".发光学报 40.08(2019):956-960.