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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究 期刊论文 电子学报, 2002 杨胜齐; 何进; 黄如; 张兴 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 异型硅岛  厚膜全耗尽SOI  Kink效应   凹陷沟道SOI器件的实验研究 期刊论文 半导体学报, 1998 张兴; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 SOI器件  硅膜  跨导  漏区  厚膜  氧化层厚度  寄生电容  工艺条件  串联电阻  硅栅   薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型 期刊论文 电子学报, 1993 程玉华; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/10/23 SOI技术  薄膜SOI器件  短沟道器件模型  VLSI电路CAD   短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型 期刊论文 半导体学报, 1993 程玉华; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 SOI/MOSFET&apos  SPICE  器件模拟  饱和效应  电容值  层电荷  热载流子  参数提取  体硅  器件特性  s