凹陷沟道SOI器件的实验研究

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	凹陷沟道SOI器件的实验研究
	张兴 ; 王阳元
刊名	半导体学报
	1998
关键词	SOI器件硅膜跨导漏区厚膜氧化层厚度寄生电容工艺条件串联电阻硅栅
英文摘要	本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 12; 52-56
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/292573]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张兴,王阳元. 凹陷沟道SOI器件的实验研究[J]. 半导体学报,1998.
APA	张兴,&王阳元.(1998).凹陷沟道SOI器件的实验研究.半导体学报.
MLA	张兴,et al."凹陷沟道SOI器件的实验研究".半导体学报 (1998).