对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究

doi:10.3321/j.issn:0372-2112.2002.11.007

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究; The Simulation Analysis of Thick Film Fully Depleted SOI MOSFET Implemented by Anti-Doped Silicon Island
	杨胜齐 ; 何进 ; 黄如 ; 张兴
刊名	电子学报
	2002
关键词	异型硅岛厚膜全耗尽SOI Kink效应
DOI	10.3321/j.issn:0372-2112.2002.11.007
英文摘要	本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽(FD)SOI MOSFET的新结构,并分析了其性能与结构参数的关系.通过在厚膜SOI MOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛,从而使得厚膜SOI MOSFET变成全耗尽器件.二维模拟显示,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计,厚膜SOI MOSFET不仅实现了全耗尽,从而克服了其固有的Kink效应,而且驱动电流也大大增加,器件速度明显提高,同时短沟性能也得到改善.模拟结果证明:优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处,整个宽度约为沟道长度的五分之三,厚度大约等于硅膜厚度的一半,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可.重要的是,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动.可以看出,异型硅岛实现的厚膜全耗尽 SOI MOSFET 为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 1605-1608; 30
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/22917]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨胜齐,何进,黄如,等. 对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究, The Simulation Analysis of Thick Film Fully Depleted SOI MOSFET Implemented by Anti-Doped Silicon Island[J]. 电子学报,2002.
APA	杨胜齐,何进,黄如,&张兴.(2002).对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究.电子学报.
MLA	杨胜齐,et al."对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究".电子学报 (2002).