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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05 作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫 收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05 作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫 收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06 作者: 叶甜春 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/03/12 |
| 干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工艺及电学特性研究 学位论文 : 大连理工大学, 2015 作者: 王青鹏 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/09
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| 降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法 专利 专利号: CN201110340567.X, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01 作者: 樊捷; 魏珂; 刘果果; 黄俊; 刘新宇 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2012/11/20 |
| ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究 期刊论文 红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 8 作者: 程吉凤; 朱耀明; 唐恒敬; 李雪; 邵秀梅 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2014/11/05
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| 碲镉汞双色红外探测芯片的喷涂匀胶技术研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者: 尹文婷 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/09/11
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012 江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2017/06/15
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| 一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 会议论文 第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集, 第十届全国敏感元件与传感器学术会议, 中国北京, CNKI, 全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会 阮勇; 叶双莉; 张大成; 任天令; 刘理天; RUAN Yong; YE Shuang-li; ZHANG Da-cheng; REN Tian-ling; LIU Li-tian 收藏  |  浏览/下载:7/0 |
| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文 2010, 2010 江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟; JIANG Shan; DONG Lei; ZHANG Rui-kang; LUO Yong; XIE Shi-zhong 收藏  |  浏览/下载:3/0 |