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科研机构
上海微系统与信息技... [17]
内容类型
期刊论文 [17]
发表日期
2012 [3]
2008 [1]
2007 [1]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene
期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2012, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 956-960
Zhang, YW
;
Wan, L
;
Cheng, XH
;
Wang, ZJ
;
Xia, C
;
Cao, D
;
Jia, TT
;
Yu, YH
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2013/04/17
graphene
atomic layer deposition
Al2O3 dielectrics
Characterization of Hafnium-Zirconium-Oxide-Nitride films grown by ion beam assisted deposition
期刊论文
VACUUM, 2012, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 1078-1082
Jin, CG
;
Yu, T
;
Bo, Y
;
Zhao, Y
;
Zhang, HY
;
Dong, YJ
;
Wu, XM
;
Zhuge, LJ
;
Ge, SB
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/04/17
High-k dielectrics
HfO2
ZrO2
Structure
Optical properties
Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 22, 页码: 2872-2878
Huang, AP
;
Zheng, XH
;
Xiao, ZS
;
Wang, M
;
Di, ZF
;
Chu, PK
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/17
high-k dielectrics
metal gate
interface dipole
MOS stack
effective work function
The effect of blocking layer of Al2O3 on thermal stability and electrical properties of HfO2 dielectric films deposited on SiGe layer
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 1888-1891
Cheng, XH
;
He, DW
;
Zhaorui, SR
;
Yu, YH
;
Shen, DS
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
INTERFACIAL CHARACTERISTICS
GATE DIELECTRICS
OXIDATION
Influence of nitrogen element on total-dose radiation response of high-k Hf-based dielectric films
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 501-504
Song, ZR
;
Cheng, XH
;
Zhang, EX
;
Xing, YM
;
Shen, QW
;
Yu, YH
;
Zhang, ZX
;
Wang, X
;
Shen, DS
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
GATE DIELECTRICS
BORON PENETRATION
TRANSISTORS
CHARGE
SI
Preparation of high-quality Hf-aluminate films by EB-PVD
期刊论文
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2006, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 1192-1194
Cheng, XH
;
Song, ZR
;
Yu, YH
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
ATOMIC-LAYER DEPOSITION
THERMAL-STABILITY
GATE DIELECTRICS
SI(100)
(HFO2)(X)(AL2O3)(1-X)
SI
Characteristics of HfxSiyO films grown on Si0.8Ge0.2 layer by electron-beam evaporation
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 122906-122906
Cheng, XH
;
Song, ZR
;
Yu, YY
;
Yang, WW
;
Shen, DS
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
GATE DIELECTRICS
HFO2
OXIDATION
SILICON
Investigation of Ge nanocrytals in a metal-insulator-semiconductor structure with a HfO2/SiO2 stack as the tunnel dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 11, 页码: 113105-113105
Wang, SY
;
Liu, WL
;
Wan, Q
;
Dai, JY
;
Lee, PF
;
Suhua, L
;
Shen, QW
;
Zhang, M
;
Song, ZT
;
Lin, CL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
NANOCRYSTAL MEMORY DEVICE
GATE DIELECTRICS
CHARGE-STORAGE
SILICON NANOCRYSTALS
THERMAL-STABILITY
DEPOSITION
Annealing effect on electrical properties of high-k MgZnO film on silicon
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: L15-L19
Liang, J
;
Wu, HZ
;
Chen, NB
;
Xu, TN
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GATE DIELECTRICS
THIN-FILMS
ZRO2
SI
TEMPERATURE
TRANSISTORS
SI(100)
Self-organized Ge nanocrystals embedded in HfAlO fabricated by pulsed-laser deposition and application to floating gate memory
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 13110-13110
Liu, WL
;
Lee, PF
;
Dai, JY
;
Wang, J
;
Chan, HLW
;
Choy, CL
;
Song, ZT
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
DEVICE
HFO2
DIELECTRICS
OXIDATION
SIO2
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