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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 van der Waals epitaxial growth of ultrathin metallic NiSe nanosheets on WSe as high performance contacts for WSe transistors 期刊论文 Nano Research, 2019, 卷号: Vol.12 No.7, 页码: 1683-1689 作者:  Bei Zhao;  Weiqi Dang;  Xiangdong Yang;  Jia Li;  Haihong Bao 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/12/13 in situ growth  nonlayered NiSe nanosheets  Schottky barrier  metal-semiconductor junctions  chemical vapor deposition   High-performance quasi-vertical GaN Schottky diode with low turn-on voltage. 期刊论文 Superlattices & Microstructures, 2019, 卷号: Vol.125, 页码: 295-301 作者:  Bian, Zhao-Ke;  Zhou, Hong;  Xu, Sheng-Rui;  Zhang, Tao;  Dang, Kui 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/17 SCHOTTKY-barrier  diodes  *GALLIUM  nitride  *GALLIUM  compounds  *DISLOCATIONS  in  crystals  *CRYSTAL  defects   Investigation of electrical inhomogeneity in ZnO varistor ceramics based on electronic relaxations. 期刊论文 Ceramics International, 2019, 卷号: Vol.45 No.1, 页码: 1110-1114 作者:  Huang, Yuwei;  Wu, Kangning;  Tang, Zhuang;  Xin, Lei;  Zhang, Lei 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 ZINC  oxide  *VARISTORS  *MICROSTRUCTURE  *PARTICLE  size  distribution  *SCHOTTKY  barrier   Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photo-responsivity in Sb doped SnS2 monolayer 期刊论文 纳米研究(英文版), 2019, 卷号: 第12卷 第2期, 页码: 463-468 作者:  Junchi Liu;  Xiao Liu;  Zhuojun Chen;  Lili Miao;  Xingqiang Liu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/13 two-dimensional  doping  Schottky  barrier  width  SnS2  optoelectronics   Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242 作者:  Hongliang Zhao;  Lin-An Yang;  Hao Zou;  Xiao-hua Ma;  Yue Hao 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/17 HEMTs  Wide band gap semiconductors  Aluminum gallium nitride  Logic gates  Oscillators  Mathematical model  Schottky diodes  AlGaN/GaN  electron domain  high-electron mobility transistor (HEMT)  recessed barrier layer (RBL)  terahertz   van der Waals epitaxial growth of ultrathin metallic NiSe nanosheets on WSe2 as high performance contacts for WSe2 transistors 期刊论文 NANO RESEARCH, 2019, 卷号: Vol.12 No.7, 页码: 1683-1689 作者:  Zhao, B;  Dang, WQ;  Yang, XD;  Li, J;  Bao, HH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/17 in situ growth  nonlayered NiSe nanosheets  Schottky barrier  metal-semiconductor junctions  chemical vapor deposition   Investigation of electrical inhomogeneity in ZnO varistor ceramics based on electronic relaxations 期刊论文 Ceramics International, 2019, 卷号: Vol.45 No.1, 页码: 1110-1114 - 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 Electronic relaxation  Energy absorption capability  Energy dispersive spectrometers  High-temperature sintering  Intrinsic point defects  Non-uniform  Schottky barrier heights  Varistor ceramics   Tunable Schottky barrier in van der Waals heterostructures of graphene and hydrogenated phosphorus carbide monolayer: first-principles calculations 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: Vol.52 No.30 作者:  Huang, T;  Chen, Q;  Cheng, MQ;  Huang, WQ;  Hu, WY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/17 Schottky barrier  van der Waals heterostructures  PC monolayer  external electric field  first-principles calculations   Numerical analysis of the back interface for high efficiency wide band gap chalcopyrite solar cells 期刊论文 Solar Energy, 2019, 卷号: Vol.180, 页码: 207-215 作者:  Weimin Li;  Wenjie Li;  Ye Feng;  Chunlei Yang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13 SCAPS  CIGS  solar  cells  Wide  band  gap  Schottky  barrier  Recombination   Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photoresponsivity in Sb doped SnS2 monolayer 期刊论文 NANO RESEARCH, 2019, 卷号: Vol.12 No.2, 页码: 463-468 作者:  Liu, JC;  Liu, X;  Chen, ZJ;  Miao, LL;  Liu, XQ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/17 two-dimensional  doping  Schottky barrier width  SnS2  optoelectronics